Číslo produktu výrobce:
IRFH5020TR2PBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFH5020TR2PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventář:
13064169
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFH5020TR2PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
-
Balení
Cut Tape (CT)
Stav dílu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
400
Další jména
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TPH6400ENH,L1Q
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
17990
DiGi ČÍSLO DÍLU
TPH6400ENH,L1Q-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.65
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPU07N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IRF6628TRPBF
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
IPP114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
