Číslo produktu výrobce:
IRFH7911TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFH7911TRPBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
Inventář:
12801889
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFH7911TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A, 28A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V
Výkon - Max
2.4W, 3.4W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
18-PowerVQFN
Balíček zařízení dodavatele
PQFN (5x6)
Základní číslo výrobku
IRFH7911
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
SP001577920
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
2 (1 Year)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSC0925NDATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9575
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC0925NDATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.31
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPG20N06S4L26AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
BSO330N02KGFUMA1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
BSO303PNTMA1
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO