Číslo produktu výrobce:
IRFHM8363TR2PBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFHM8363TR2PBF-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventář:
12806532
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFHM8363TR2PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1165pF @ 10V
Výkon - Max
2.7W
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Balíček zařízení dodavatele
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Základní číslo výrobku
IRFHM8363
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
400
Další jména
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF7304PBF
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
IRF7304
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
IRLHS6276TR2PBF
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN