Číslo produktu výrobce:
IRFR5410PBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFR5410PBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventář:
12805718
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFR5410PBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
66W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
SP001557110
64-4110PBF-DG
64-4110PBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMP10H400SK3-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
83919
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP10H400SK3-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRFR5410TRPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
18890
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR5410TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.49
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF1405ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRL1004SPBF
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
IPD65R650CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
