Číslo produktu výrobce:
IRFS3207ZTRRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFS3207ZTRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
1582 Ks Nový Originál Skladem
12818521
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFS3207ZTRRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6920 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IRFS3207
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
IRFS3207ZTRRPBFDKR
SP001565050
IRFS3207ZTRRPBFCT
IRFS3207ZTRRPBFTR
IRFS3207ZTRRPBF-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRL3705ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
IRF7524D1TR
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IRF6638TRPBF
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
