IRFS33N15D
Číslo produktu výrobce:

IRFS33N15D

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IRFS33N15D-DG

Popis:

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventář:

Poptejte online
12823356
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRFS33N15D Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
33A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
56mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
IRFB, IRFS(L)33N15D

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
*IRFS33N15D

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Související produkty
infineon-technologies

IRL1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB7545PBF

MOSFET N-CH 60V 95A TO220

littelfuse

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268

littelfuse

IXFK24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA