IRFZ24NLPBF
Číslo produktu výrobce:

IRFZ24NLPBF

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

IRFZ24NLPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 17A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Through Hole TO-262

Inventář:

12804235
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRFZ24NLPBF Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-262
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50
Další jména
SP001571902
*IRFZ24NLPBF

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IRF6613TRPBF

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFSL4410

MOSFET N-CH 100V 96A TO262

infineon-technologies

IRF3007STRLPBF

MOSFET N CH 75V 62A D2PAK

infineon-technologies

IRF9383MTRPBF

MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET