Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IRFZ46NSTRRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRFZ46NSTRRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
Poptejte online
12805546
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFZ46NSTRRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
53A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16.5mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1696 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.8W (Ta), 107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF
Technické listy
IRFZ46NSTRRPBF
HTML Datový list
IRFZ46NSTRRPBF-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB60NF06T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1362
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB60NF06T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.81
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB55NF06LT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
330
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB55NF06LT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.71
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRFZ46NSTRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
172
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFZ46NSTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
STB55NF06T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB55NF06T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.99
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
PSMN015-60BS,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11707
DiGi ČÍSLO DÍLU
PSMN015-60BS,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.51
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IPP14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IRL7833S
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
IRLS3813TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
IRFH5301TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN