Číslo produktu výrobce:
IRLML6401TRPBF
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
IRLML6401TRPBF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Inventář:
40009 Ks Nový Originál Skladem
12807082
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRLML6401TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
12 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.8V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
Micro3™/SOT-23
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
IRLML6401
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Zdroje návrhu
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-DG
IRLML6401GTRPBFDKR-DG
IRLML6401GTRPBFTR-DG
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
