ISC036N04NM5ATMA1
Číslo produktu výrobce:

ISC036N04NM5ATMA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

ISC036N04NM5ATMA1-DG

Popis:

40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 21A (Ta), 98A (Tc) 3W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventář:

4498 Ks Nový Originál Skladem
12993600
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ISC036N04NM5ATMA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™-5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Ta), 98A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
7V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3.6mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 23µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8 FL
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
ISC036N

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
5,000
Další jména
SP005399111
448-ISC036N04NM5ATMA1CT
448-ISC036N04NM5ATMA1TR
448-ISC036N04NM5ATMA1DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

STB30N65DM6AG

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V