Číslo produktu výrobce:
ISC0806NLSATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
ISC0806NLSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 97A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventář:
4880 Ks Nový Originál Skladem
12965943
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ISC0806NLSATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™ 5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Ta), 97A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 61µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TDSON-8-7
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
ISC0806N
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-ISC0806NLSATMA1CT
448-ISC0806NLSATMA1DKR
SP005430384
448-ISC0806NLSATMA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
ISC0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
NTMFS005P03P8ZT1G
MOSFET P-CH
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
