Číslo produktu výrobce:
ISP75DP06LMXTSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
ISP75DP06LMXTSA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventář:
1578 Ks Nový Originál Skladem
12806059
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ISP75DP06LMXTSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
750mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 77µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
ISP75D
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
2156-ISP75DP06LMXTSA1
SP004987274
ISP75DP06LMXTSA1-DG
INFINFISP75DP06LMXTSA1
448-ISP75DP06LMXTSA1DKR
448-ISP75DP06LMXTSA1CT
448-ISP75DP06LMXTSA1TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
