ISS17EP06LMXTSA1
Číslo produktu výrobce:

ISS17EP06LMXTSA1

Product Overview

Výrobce:

Infineon Technologies

Číslo dílu:

ISS17EP06LMXTSA1-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 300mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventář:

51342 Ks Nový Originál Skladem
12806541
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

ISS17EP06LMXTSA1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.7Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 34µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.79 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
55 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-SOT23
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
ISS17EP06

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
ISS17EP06LMXTSA1-DG
2156-ISS17EP06LMXTSA1TR
448-ISS17EP06LMXTSA1CT
448-ISS17EP06LMXTSA1DKR
448-ISS17EP06LMXTSA1TR
SP004987276

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

IRLR120NTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

infineon-technologies

IRF7855TRPBF

MOSFET N-CH 60V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF7478TRPBF

MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

infineon-technologies

IRF7807PBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO