Číslo produktu výrobce:
ISZ0702NLSATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
ISZ0702NLSATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 86A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-25
Inventář:
8650 Ks Nový Originál Skladem
12965353
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
ISZ0702NLSATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
OptiMOS™ 5
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Ta), 86A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 26µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 65W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TSDSON-8-25
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
ISZ0702N
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
448-ISZ0702NLSATMA1CT
448-ISZ0702NLSATMA1TR
448-ISZ0702NLSATMA1DKR
SP005417427
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SI3454CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
PJA3440-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
ISC009N06LM5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
