Číslo produktu výrobce:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPB11N60C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventář:
2703 Ks Nový Originál Skladem
12806600
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPB11N60C3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO263-3-2
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
SPB11N60
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA14N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
235
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA14N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.12
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
R6011ENJTL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6011ENJTL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.56
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB13NM60N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB13NM60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.21
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCB11N60TM
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
135
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCB11N60TM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.43
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STB13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2210
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
SPP08N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
