Číslo produktu výrobce:
SPD03N60C3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPD03N60C3ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventář:
27364 Ks Nový Originál Skladem
12807870
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPD03N60C3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 135µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SPD03N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
448-SPD03N60C3ATMA1CT
448-SPD03N60C3ATMA1DKR
SPD03N60C3ATMA1-DG
448-SPD03N60C3ATMA1TR
SP001117760
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
TN0610N3-G-P003
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
