Číslo produktu výrobce:
SPD07N60C3ATMA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPD07N60C3ATMA1-DG
Popis:
LOW POWER_LEGACY
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventář:
4363 Ks Nový Originál Skladem
13064327
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPD07N60C3ATMA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
CoolMOS™
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 350µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO252-3-313
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
SPD07N60
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
SP001117774
SPD07N60C3ATMA1-ND
448-SPD07N60C3ATMA1TR
448-SPD07N60C3ATMA1CT
448-SPD07N60C3ATMA1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
BUK954R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
