Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SPP11N60C3XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPP11N60C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
Poptejte online
12806574
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPP11N60C3XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 500µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SPP11N60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SP(P,I,A)11N60C3
Technické listy
SPP11N60C3XKSA1
HTML Datový list
SPP11N60C3XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP000681040
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3
SPP11N60C3IN-NDR
SPP11N60C3XIN-DG
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-DG
SPP11N60C3XK
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
971
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP15N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
600
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP15N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.03
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
87
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1100
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IXFP22N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFP22N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.48
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SPD14N06S2-80
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
IRF9392PBF
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
SN7002N E6433
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
IRFH7085TRPBF
MOSFET N-CH 60V 100A PQFN