Číslo produktu výrobce:
SPP11N80C3XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPP11N80C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
6913 Ks Nový Originál Skladem
12807478
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPP11N80C3XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 680µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
156W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SPP11N80
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP000683158
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3IN-NDR
SPP11N80C3IN-DG
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3XTIN-DG
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
