Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SPP15N60CFDHKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPP15N60CFDHKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 13.4A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
Poptejte online
12808203
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPP15N60CFDHKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
13.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
330mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 750µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
156W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SPP15N
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
SPP15N60CFD
Technické listy
SPP15N60CFDHKSA1
HTML Datový list
SPP15N60CFDHKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
SPP15N60CFD-DG
SPP15N60CFD
SP000264425
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
971
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRF830APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5605
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF830APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
87
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP13NM60ND-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.64
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1100
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT11S60L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRFBC30APBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1483
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBC30APBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.19
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
SPP100N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
SPB42N03S2L-13
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
SPB47N10
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPD50R520CP
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3