Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SPP20N60S5XKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPP20N60S5XKSA1-DG
Popis:
HIGH POWER_LEGACY
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
3452 Ks Nový Originál Skladem
12806652
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPP20N60S5XKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SPP20N60
Technický list a dokumenty
Technické listy
SPP20N60S5XKSA1
HTML Datový list
SPP20N60S5XKSA1-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
SP000681062
SPP20N60S5XKSA1-DG
448-SPP20N60S5XKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXKC20N60C
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXKC20N60C-DG
CENY ZA JEDNOTKU
9.07
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP26N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP26N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.34
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
FCP150N65F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCP150N65F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.31
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP28N65M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
932
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP28N65M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.44
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IRLR3303PBF
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IRLMS2002TR
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
IRLH5036TR2PBF
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
SPB80N06S2-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3