Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
SPP80N08S2L-07
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPP80N08S2L-07-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventář:
Poptejte online
12807813
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPP80N08S2L-07 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
-
Řada
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
75 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.1mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
233 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6820 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO220-3-1
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
SPP80N
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
SP000012476
SPP80N08S2L07
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP76NF75
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP76NF75-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.04
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
IRFB3607PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3741
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB3607PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP100N6F7
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP100N6F7-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.71
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP75NF75
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1998
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP75NF75-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.10
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
SPB80N03S2L-05
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPI70N10L
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3