Číslo produktu výrobce:
SPW20N60C3FKSA1
Product Overview
Výrobce:
Infineon Technologies
Číslo dílu:
SPW20N60C3FKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventář:
2123 Ks Nový Originál Skladem
12807451
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SPW20N60C3FKSA1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Infineon Technologies
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PG-TO247-3-1
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
SPW20N60
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-DG
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-DG
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SPU04N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
