Číslo produktu výrobce:
IRF6620TRPBF
Product Overview
Výrobce:
International Rectifier
Číslo dílu:
IRF6620TRPBF-DG
Popis:
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventář:
980 Ks Nový Originál Skladem
12947707
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF6620TRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.45V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4130 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DIRECTFET™ MX
Balení / pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
439
Další jména
2156-IRF6620TRPBF
INFIRFIRF6620TRPBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikace
Související produkty
STP21NM50N
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
PSMN1R9-40PL,127
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PMCM6501VPEZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
