IRF6644TRPBF
Číslo produktu výrobce:

IRF6644TRPBF

Product Overview

Výrobce:

International Rectifier

Číslo dílu:

IRF6644TRPBF-DG

Popis:

IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

Inventář:

602356 Ks Nový Originál Skladem
12979315
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IRF6644TRPBF Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 150µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DIRECTFET™ MN
Balení / pouzdro
DirectFET™ Isometric MN

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
214
Další jména
IFEINFIRF6644TRPBF
2156-IRF6644TRPBF

Klasifikace životního prostředí a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMN3009LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMP31D7L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NVMFWS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

onsemi

NVH4L075N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V