Číslo produktu výrobce:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Výrobce:
International Rectifier
Číslo dílu:
IRF6775MTRPBF-DG
Popis:
IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventář:
597 Ks Nový Originál Skladem
12947079
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRF6775MTRPBF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Balení
Bulk
Řada
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
150 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1411 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DIRECTFET™ MZ
Balení / pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
249
Další jména
2156-IRF6775MTRPBF
INFIRFIRF6775MTRPBF
Klasifikace životního prostředí a exportu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF17N40T
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
FCPF4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
FQI13N50CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
