Číslo produktu výrobce:
IXFA10N60P
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFA10N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventář:
324 Ks Nový Originál Skladem
12906994
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFA10N60P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1610 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263AA (IXFA)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IXFA10
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFBG30
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
ZXMP3F36N8TA
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
IXFN52N100X
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
