Číslo produktu výrobce:
IXFB90N85X
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFB90N85X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Podrobný popis:
N-Channel 850 V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventář:
14 Ks Nový Originál Skladem
12908695
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFB90N85X Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Ultra X
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
850 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
41mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1785W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PLUS264™
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
IXFB90
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
25
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFR320
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRFBF20STRRPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
IRL640S
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
