Číslo produktu výrobce:
IXFH16N120P
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFH16N120P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventář:
998 Ks Nový Originál Skladem
12821830
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFH16N120P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
950mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
660W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247AD (IXFH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFH16
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTH150N15X4
MOSFET N-CH 150V 150A TO247
IXTH110N10L2
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
