Číslo produktu výrobce:
IXFH60N65X2
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFH60N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventář:
12820282
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFH60N65X2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
780W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 (IXTH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFH60
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPW60R060P7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
60
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R060P7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.01
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
