IXFJ26N50P3
Číslo produktu výrobce:

IXFJ26N50P3

Product Overview

Výrobce:

IXYS

Číslo dílu:

IXFJ26N50P3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventář:

30 Ks Nový Originál Skladem
12821305
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IXFJ26N50P3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
265mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
180W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 (IXTH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFJ26

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
30
Další jména
-IXFJ26N50P3

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
littelfuse

IXFK98N50P3

MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA

littelfuse

IXFK14N100Q

MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA

littelfuse

IXTF1R4N450

MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC

littelfuse

IXTV96N25T

MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220