Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IXFP130N10T2
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFP130N10T2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12908427
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFP130N10T2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
130A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.1mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
360W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IXFP130
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IXFx130N10T2
Technické listy
IXFP130N10T2
HTML Datový list
IXFP130N10T2-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDP090N10
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12259
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDP090N10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.50
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
CSD19533KCS
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2169
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD19533KCS-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.67
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMTH10H010LCT
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
41
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH10H010LCT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.62
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB4410PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8029
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB4410PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.16
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB4410ZPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8708
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB4410ZPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IRF820S
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRFIB7N50A
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
IXTY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO252
IXFX20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3