Číslo produktu výrobce:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFQ50N60P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12821337
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFQ50N60P3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1040W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
IXFQ50
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCA22N60N
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
545
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCA22N60N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.38
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW60R099CPAFKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
196
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW60R099CPAFKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.16
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
