Číslo produktu výrobce:
IXFR32N100Q3
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFR32N100Q3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventář:
30 Ks Nový Originál Skladem
12908048
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFR32N100Q3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Q3 Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 8mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9940 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
570W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ISOPLUS247™
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFR32
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
-IXFR32N100Q3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRFBF30STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
