Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
IXFR48N60Q3
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFR48N60Q3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventář:
Poptejte online
12821230
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFR48N60Q3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Q3 Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
154mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6.5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7020 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
500W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ISOPLUS247™
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXFR48
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
IXFR48N60Q3
Technické listy
IXFR48N60Q3
HTML Datový list
IXFR48N60Q3-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FCH165N60E
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
473
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH165N60E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.86
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCH170N60
VÝROBCE
Fairchild Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11513
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCH170N60-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.97
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R6024KNZ1C9
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6024KNZ1C9-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.03
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFH80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
IXTA180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO263