Číslo produktu výrobce:
IXFX100N65X2
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFX100N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventář:
12819367
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFX100N65X2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1040W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PLUS247™-3
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
IXFX100
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
IXFX100N65X2X-DG
IXFX100N65X2XINACTIVE
IXFX100N65X2X
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SCT3022ALGC11
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1695
DiGi ČÍSLO DÍLU
SCT3022ALGC11-DG
CENY ZA JEDNOTKU
36.29
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTA160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263
IXFP14N85XM
MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
IXFR90N20Q
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
