Číslo produktu výrobce:
IXFX120N25
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFX120N25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventář:
12820087
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFX120N25 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
560W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PLUS247™-3
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
IXFX120
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFP4768PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2632
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP4768PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.59
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P