Číslo produktu výrobce:
IXFX180N10
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXFX180N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventář:
12820808
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXFX180N10 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
HiPerFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 8mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
560W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
PLUS247™-3
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
IXFX180
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
IXFX180N10-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTH240N15X4
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1963
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTH240N15X4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
8.21
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFL30N120P
MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
IXFK150N10
MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
IXFN150N10
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
