Číslo produktu výrobce:
IXTA1N100
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTA1N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventář:
12819906
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTA1N100 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 25µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
54W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263AA
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IXTA1
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA1R4N100P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
20
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA1R4N100P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.38
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
