Číslo produktu výrobce:
IXTA6N50D2
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTA6N50D2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventář:
12819169
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTA6N50D2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
Depletion
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
-
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
500mOhm @ 3A, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Funkce FET
Depletion Mode
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263AA
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
IXTA6
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFS11N50ATRLP
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
325
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFS11N50ATRLP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB11NK50ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
872
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB11NK50ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.34
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFK230N20T
MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
IXFK26N100P
MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
IXFP34N65X2M
MOSFET N-CH 650V 34A TO220