IXTH220N055T
Číslo produktu výrobce:

IXTH220N055T

Product Overview

Výrobce:

IXYS

Číslo dílu:

IXTH220N055T-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 220A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 220A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventář:

12914140
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IXTH220N055T Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
-
Řada
TrenchMV™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
220A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
158 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
430W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 (IXTH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXTH220

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
30

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRFP2907PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2867
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP2907PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.55
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFP3306PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
970
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP3306PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.37
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SI1300BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3

vishay-siliconix

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT

vishay-siliconix

IRFZ24STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 17A TO263

vishay-siliconix

SI3458BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP