Číslo produktu výrobce:
IXTH6N120
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTH6N120-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventář:
12820862
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
eZ6u
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTH6N120 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 (IXTH)
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
IXTH6
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW7NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
86
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW7NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.75
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTH200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
IXFB62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
IXTA27N20T
MOSFET N-CH 20V 27A TO263
