Číslo produktu výrobce:
IXTK32P60P
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTK32P60P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Podrobný popis:
P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventář:
12820729
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTK32P60P Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
PolarP™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
32A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
890W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-264 (IXTK)
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
IXTK32
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
25
Další jména
-IXTK32P60P
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFH80N25X3
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
IXFK78N50P3
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
IXTQ64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
