Číslo produktu výrobce:
IXTN550N055T2
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTN550N055T2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 550A (Tc) 940W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventář:
12821647
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTN550N055T2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
TrenchT2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
550A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
595 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
940W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227B
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
IXTN550
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10
Další jména
623216
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247
IXFN34N100
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B