Číslo produktu výrobce:
IXTN5N250
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTN5N250-DG
Popis:
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 2500 V 5A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventář:
12821196
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTN5N250 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
2500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.8Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8560 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227B
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
IXTN5
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
10
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFN52N90P
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
