Číslo produktu výrobce:
IXTQ48N20T
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTQ48N20T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 48A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12820584
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
EmKP
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTQ48N20T Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tube
Řada
Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
48A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3090 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
250W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
IXTQ48
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXFH7N80
MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
IXTA32N20T
MOSFET N-CH 200V 32A TO263
IXFQ23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO268
