Číslo produktu výrobce:
IXTY1R6N50D2-TRL
Product Overview
Výrobce:
IXYS
Číslo dílu:
IXTY1R6N50D2-TRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
13140393
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IXTY1R6N50D2-TRL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Littelfuse
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
Depletion
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
0V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 25 V
Funkce FET
Depletion Mode
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IXTY1
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
238-IXTY1R6N50D2-TRLCT
238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR
238-IXTY1R6N50D2-TRLTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IXTY01N100D-TRL
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXTA1N200P3HV-TRL
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
