2N3491
Číslo produktu výrobce:

2N3491

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

2N3491-DG

Popis:

POWER BJT
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 7 A 115 W Stud Mount TO-61

Inventář:

12983025
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

2N3491 Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
7 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
80 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
-
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Výkon - Max
115 W
Frekvence - přechod
-
Provozní teplota
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Stud Mount
Balení / pouzdro
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Balíček zařízení dodavatele
TO-61

Další informace

Standardní balíček
1
Další jména
150-2N3491

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

JANSD2N3700

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5617

POWER BJT

microchip-technology

2N4301

POWER BJT

microchip-technology

2N4387

POWER BJT