2N5630
Číslo produktu výrobce:

2N5630

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

2N5630-DG

Popis:

POWER BJT
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 16 A 200 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventář:

12983835
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

2N5630 Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
16 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
120 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
-
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Výkon - Max
200 W
Frekvence - přechod
-
Provozní teplota
-65°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-204AA, TO-3
Balíček zařízení dodavatele
TO-204AD (TO-3)

Další informace

Standardní balíček
1
Další jména
150-2N5630

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
MJ15001G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
79
DiGi ČÍSLO DÍLU
MJ15001G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.91
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
2N3773G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
2N3773G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.52
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

JANSD2N5154

RH POWER BJT

microchip-technology

2N5970

POWER BJT

microchip-technology

2N2780

POWER BJT

microchip-technology

JANSM2N5152

RH POWER BJT