Číslo produktu výrobce:
APT1001RBN
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT1001RBN-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventář:
13257203
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT1001RBN Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
-
Řada
POWER MOS IV®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
310W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247AD
Balení / pouzdro
TO-247-3
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
APT43F60L
MOSFET N-CH 600V 45A TO264
APT50M38JFLL
MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
